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2019.09.26 三菱電機がマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」発売!


三菱電機は、新開発のマルチワイヤ放電スライス技術「D-SLICE(ディースライス)」により、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)など次世代半導体材料の放電スライス加工を世界で初めて実用化したマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を11月1日から発売する。ウエハスライス工程における生産性向上とランニングコスト低減に貢献する。
同機は12月11日~13日、東京ビッグサイトで開催れる「SEMICON Japan 2019」に出展する。

「DS1000」は、高精度な放電加工技術とマルチワイヤ制御技術により、放電による非接触加工が可能な同社独自のマルチワイヤ放電スライス技術「D-SLICE」を搭載。これにより、高硬度なSiCや高脆性なGaNなどの次世代半導体材料の放電スライス加
工を世界で初めて実用化した。

また、次世代半導体材料を同時に20枚スライスできるほか、ワイヤの間隔を最小600μmで周回可能で、素材の有効活用率を従来比20%向上した。
非接触加工により材料割れや表面のダメージを抑制し、歩留まりを従来比40%改善した。

さらに、並列する各々のワイヤへの給電部を独立させ同時に均一なエネルギーを供給・放電することにより、加工速度を従来比60%向上。
専用高周波電源により、直径0.1mmの細いワイヤ電極線でも断線することなく連続加工が可能。
省エネルギー電源に加え、ダイヤモンド砥粒を使用しない安価なワイヤの採用により、ランニングコストを従来比80%削減した。
標準価格は9,500万円(税別)。年間10台の販売を見込んでいる。

近年、パワー半導体、通信用デバイス、レーザーダイオードやLEDなど向けに、省エネや高速・高周波スイッチングなどの特長をもつSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)などの次世代半導体材料の需要が拡大している。
半導体材料をウエハ形状にするための従来のスライシング工程では、ワイヤソーなどダイヤモンド砥粒を用いた接触式の研削加工が採用されていたが、次世代半導体材料は高硬度・高脆性で加工が非常に難しく、加工溝の幅の拡大、加工面のうねりや材料割れなど材料の損失により製造コストが大幅に増加するなどの課題があった。
今回、次世代半導体材料の非接触加工が可能なマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を世界で初めて発売することでウエハスライス工程の生産性向上とランニングコスト低減に貢献していく。


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