三菱電機は、パワー半導体の開発・製造を行うパワーデバイス製作所(福岡県福岡市)に、新たに「開発試作棟」を建設する。低炭素社会実現に貢献するキーデバイスとして、需要が拡大しているパワー半導体の開発体制を強化し、さらなる電力損失低減のための新技術・新製品の開発を加速する。投資金額は約 45 億円。稼働開始は2022年9月を予定している。

同社は、産業用途や自動車用途などの省エネ性に優れた多くのパワー半導体を開発・製造しているが。今回、開発・製造拠点であるパワーデバイス製作所に新たに「開発試作棟」を建設し、敷地内に分散していた開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室、分析評価機能を1カ所に集結させることで、新技術・新製品の開発を加速する。
また、新製品を迅速に提供することで、「持続可能性」と「安心・安全・快適性」が両立する豊かな社会の実現に貢献する。

■開発試作棟の概要
所在地：福岡市西区今宿東一丁目1番1号(パワーデバイス製作所内)。
建築面積：約1,640㎡(延床面積 約10,350㎡)。
構造：鉄骨(S)造、地上6階建。
主な設備：開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室。
環境・省エネ対策：
・高効率機器導入(空調機・換気設備・変圧器)。
・人感センサ、照度センサ付きLED照明設置。
・建物内装への木質材料使用。
竣工予定：2022年8月。
稼働開始予定：2022年9月。
投資総額：約45億円。