三菱電機
チューナブルレーザーダイオードチップのサンプル提供開始
三菱電機は、光ファイバー通信用光トランシーバーに搭載される光デバイスの新製品として、デジタルコヒーレント通信の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献する「チューナブルレーザーダイオードチップ」のサンプル提供を10月1日に開始する。

第5世代移動通信システム網の拡大や動画配信サービスの普及によるデータ通信トラフィックの急増に伴い、光ファイバー通信の長距離通信網やデータセンター間の通信網などで、従来の100Gbpsから400Gbpsへの高速大容量化が求められており、既存の光ファイバーの通信効率を高めるため、デジタルコヒーレント通信方式の適用が拡大している。
一方、高速大容量対応の光トランシーバーを既存の限られたスペースに新たに設置するには、光トランシーバーのさらなる小型化が必要だが、パッケージで提供されているチューナブルレーザーダイオードでは、光トランシーバーの小型化が難しいという課題があった。
今回、開発した「チューナブルレーザーダイオードチップ」は、デジタルコヒーレント通信で用いられる1.55μm帯のレーザー光を出力し、400Gbps光トランシーバー標準規格(OIF400ZR-01.0)に準拠した広い波長帯に対応することで、デジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献する。
また、チップでの提供により、個客の光トランシーバーに最適なパッケージ設計が可能になる。
さらに、同製品は、これまで同社が開発してきた移動通信システム基地局向けDFBレーザー(分布帰還型半導体レーザー)やデータセンター向けEML(電界吸収型光変調器集積半導体レーザー)チップで採用している半導体製造技術を基に設計しており、高い信頼性を有している。

「チューナブルレーザーダイオードチップ」は、幅広い波長帯に対応することでデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献。
1~16 チャネルの異なる発振波長を持つ16個のDFBレーザーを並列に配置したアレイ構造の採用で、広い波長帯に対応する。
チップの温度制御により、チャネルごとに約 2.7nmの波長変更を可能とし、発振波長1527.994~1567.133nmの1.55μm帯レーザー光出力を実現。400Gbps 光トランシーバー標準規格(OIF-400ZR01.0)に準拠したデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献する。
また、チップで提供することにより、個客のパッケージ設計における他の光学部品との共通化や部品配置の最適化を可能とし、光トランシーバーの小型化に貢献する。

同社は今後、2023年の量産化を目指し、デジタルコヒーレント通信の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献するほか、また、次世代の800Gbps市場の到来を見据え、チューナブルレーザーダイオードチップに加え、光変調器チップの開発を予定している。



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